Simulación del proceso de deshidratación del gas natural con trietilen glicol (teg), utilizando software ASPEN HYSYS en la FIQ-UNAP

Abstract

En esta tesis se realizó la simulación del proceso de deshidratación del gas natural de la planta industrial de procesamiento de gas natural de Malvinas, cuya deshidratación en condiciones normales fue de 78.5714%; la corriente de 243.6 MMSCFD (miles de pies cúbicos estándar) de gas natural que ingresa a este sistema está compuesta por 0.0014 fracción mol de Agua, 0.0054 fracción mol de CO2, 0.0050 fracción mol de N2, 0.8303 fracción mol de CH4, corriendo la simulación con el simulador ASPEN HYSYS V7.3 se verifica que se eliminan el 93.4133 % de agua desde el ingreso al scrubber hasta la salida de la etapa de contacto usando con absorbente al TEG este proceso se realiza en la contactora CAF-3110 toda esta simulación se realiza a presión constante, en la etapa de regeneración del TEG según la simulación la perdida de TEG representa el 0.615% por tal motivo se considera que este proceso es muy eficiente según las condiciones del sistema establecidas en la simulación y la obtenida en condiciones de trabajo real de la planta es de 0.823% debido a la vaporización y arrastre en la contactora glicol – gas de regeneración.

In this thesis the simulation process natural gas dehydration plant industrial natural gas processing was performed Falklands, the current 243.6 MMSCFD of natural gas that enters the system is composed of 0.0014 mol fraction of water, 0.0054 fraction mole of CO2, N2 0.0050 mol fraction, 0.8303 mol fraction of CH4, running the simulation with ASPEN HYSYS simulator V7.3 verified that the 93.4133% of water are removed from the scrubber entry and exit at the contacting step using absorbent TEG this is done in the CAF-3110 contactor all this simulation is performed at constant pressure in the regeneration step of the TEG according to the simulation loss TEG represents 0.615% for this reason it is considered that this process it is very efficient as the system conditions established in the simulation.